工艺结构特点
1.独特的结构设计，一次焊接成型，避免二次烧结 2.真空烧结工艺，空洞率小于3% 3.GPP中心门极芯片，保证产品的高可靠性 4.高导热DBC绝缘层 5.焊片焊接，无助焊剂沾污
可控硅模块
 新闻中心
产品分类
站内搜索 友情链接
|
可控硅模块
详细信息 晶佰源可控硅模块电流范 围25A~1200A,电压范围800V ~1800V.行业标准外形封装。 广泛应用于无功补偿，UPS, 变频器，电机软启动，电力 调功器等领域。 晶佰源可控硅模块电流 300A以内产品均采用裸片真 空高温一次烧结工艺，焊锡 熔点温度高于280℃，空洞 率小于3%，绝缘层采用高导 热DBC板。产品具有热阻低 、正向压降小、高温特性稳 定等特点。
工艺结构特点1.独特的结构设计，一次焊接成型，避免二次烧结 2.真空烧结工艺，空洞率小于3% 3.GPP中心门极芯片，保证产品的高可靠性 4.高导热DBC绝缘层 5.焊片焊接，无助焊剂沾污 |